Introducing DDR4 family AND its Specification
نگاهی به DDR 4 کینگستون :
با تقاضای عملکرد بهتر و افزایش پهنای DDR3 در حال رسیدن به محدودیت میباشدو یک نسل جدید DDR SDRAM را وارد کرده است. DDR4 عملکرد بالاتر، حجم DIMM بالاتر ، بهبود یکپارچگی داده ها و مصرف انرژی کمتری را ارائه مینماید.
علاوه بر اینکه عملکرد بهینه و محاسبات سریعتر ، DDR4 بررسی افزونگی چرخه (CRC) را برای ثبات داده ها فراهم میکند ، بر روی تراشه تشخیص برابری برای تأیید یکپارچگی دستور و آدرس ‘انتقال بر روی یک لینک، افزایش یافته است یکپارچگی سیگنال ها و از دیگر ویژگی های RAS قوی.
-
فناوری در یک نگاه
لطفا توجه داشته باشید که تفاوت های ظریف بین ماژول های DDR3 و DDR4 وجود دارد.
-
تفاوت درجه یک کلید
شکاف های کلیدی در یک ماژول DDR4 در محل های مختلف از شکاف کلیدی در یک ماژول DDR3 است. هر دو شکاف در لبه جای گذاری قرار گرفته است، اما محل بریدگی در DDR4 کمی متفاوت برای جلوگیری از ماژول از حال وارد شدن به یک برد ناسازگار و یا پلت فرم نصب شده است.
افزایش ضخامت ماژول های DDR4 کمی ضخیم تر از DDR3، به جای لایه های سیگنال است.
لبه منحنی ماژول های DDR4 از ویژگی های یک لبه منحنی برای کمک به درج و کاهش استرس در PCB در هنگام نصب حافظه است.
-
مشخصات در یک نگاه
|
Advantage |
DDR3 | DDR4 | Description |
|
Larger DIMM Capacities |
512Mb-8Gb |
4Gb-16Gb | Chip Densities |
| Migration to Higher-Speed I/O |
800 Mb/s–2133 Mb/s |
1600 Mb/s – 3200 Mb/s |
Data Rates |
|
Reduced Memory Power Demand |
1.5V |
1.2V |
Voltage |
|
Memory Power Reductions |
Yes (DDR3L at 1.35V) |
Anticipated at 1.1V |
Low Voltage Standard |
|
More Banks |
8 | 16 |
Internal Banks |
|
Faster Burst Accesses |
0 | 4 |
Bank Groups (BG) |
|
VREFDQ Now Internal |
2 – DQs and CMD/ADDR | 1 – CMD/ADDR | VREF inputs |
|
Higher Data Rates |
300MHz – 800MHz | 667MHz – 1.6GHz | tCK – DLL Enabled |
|
DLL-off now fully supported |
10MHz – 125MHz (optional) | Undefined to 125MHz | tCK – DLL Disabled |
| Expanded Values | AL + CL | AL + CL | Read Latency |
|
Expanded Values |
AL + CWL | AL + CWL | Write Latency |
|
Optimal for PtP Applications |
40Ω | 48 Ω | DQ Driver (ALT) |
|
Less I/O Noise and Power |
SSTL15 | POD12 | DQ Bus |
|
Support for Higher Data Rates |
120, 60, 40, 30, 20 | 240, 120, 80, 60, 48, 40, 34 | RTT Values (in Ω) |
|
Ease-of-Use |
READ Bursts |
Disables during Read Bursts |
RTT Not Allowed |
|
Add’l Control Mode; OTF Value Change |
Nominal, Dynamic |
Nominal, Dynamic, Park |
ODT Modes |
|
Ease of ODT Control; Allows Non-ODT Routing, PtP Apps |
ODT Signalling Required |
ODT Signalling NOT Required |
ODT Control |
|
Provides Additional Specialty Readout |
Four Registers – 1 Defined, 3 RFU |
Four Registers – 3 Defined, 1 RFU |
Multi-Purpose Register |
|
RDIMM, LRDIMM, UDIMM, SODIMM |
RDIMM, LRDIMM, UDIMM, SODIMM |
DIMM Types |
|
|
240 (R, LR, U); 204 (SODIMM) |
288 (R, LR, U); 260 (SODIMM) |
DIMM Pins |
|
|
More RAS features; improved data integrity |
ECC |
CRC, Parity, Addressability, GDM |
RAS |
Leave a Reply